新傲的主要股东上海微系统与信息技术研究所80年代初在国内率先开展SOI技术研究，至今已有20年的历史。新傲在SOI材料研究方面居国内领先位置，并保持国际先进水平。

1) 2002年，新傲公司建立了国内第一条SIMOX SOI生产线，并开发相关的成套工艺，研制出系列的全剂量、中等剂量和低剂量SIMOX产品。

2) 2005年，新傲开发出键合SOI材料生产技术；同年，在结合SIMOX和键合技术的基础上，新傲开发出具有自主知识产权的Simbond®技术(ZL 200510028365.6)。

3) 2008年，新傲开发出另一项同样具有自主知识产权的BEST-SOI技术(ZL 200810201039.4)。

4) 2010年，新傲北区建成投产，批量生产8英寸SOI/EPI产品。

5) 2014年，瞄准RF、汽车电子市场的蓬勃发展，新傲与法国Soitec公司开展技术合作，引进注氢剥离技术，并于2015年实现SOI产品的量产。

6) 截止到2015年，新傲公司共申请受理专利120项，其中60项已授权，PCT 3项。

7) 瞄准SOI器件及下一代微纳电子材料的应用，同中科院上海微系统所紧密合作，积极推进包括：高迁移率衬底材料、高k栅极介质材料、特种 SOI材料、SOI高压器件以及硅基光互联等方面的研究工作。

新傲公司SOI主要专注下述领域：

SIMOX

Bonding

Simbond

Best SOI

Direct Si-Si Bonding

与此同时，新傲公司也致力于外延技术的发展：

• 在红外加热筒式外延设备上开发重掺As衬底上的外延工艺，抑制As的自掺杂效应，生长高阻、过渡区窄的外延层
• 在红外加热筒式外延设备上实现厚度和电阻率均匀性好的1um左右的BiCMOS用外延片
• 双埋层、As埋层电路衬底上高阻外延工艺开发
• 全梯度和半梯度外延工艺开发并应用到全系列FRD产品