新傲的主要股东上海微系统与信息技术研究所80年代初在国内率先开展SOI技术研究,至今已有20年的历史。新傲在SOI材料研究方面居国内领先位置,并保持国际先进水平。

1) 2002年,新傲公司建立了国内第一条SIMOX SOI生产线,并开发相关的成套工艺,研制出系列的全剂量、中等剂量和低剂量SIMOX产品。

2) 2005年,新傲开发出键合SOI材料生产技术;同年,在结合SIMOX和键合技术的基础上,新傲开发出具有自主知识产权的Simbond®技术(ZL 200510028365.6)

3) 2008年,新傲开发出另一项同样具有自主知识产权的BEST-SOI技术(ZL 200810201039.4)

4) 2010年,新傲北区建成投产,批量生产8英寸SOI/EPI产品。

5) 2014年,瞄准RF、汽车电子市场的蓬勃发展,新傲与法国Soitec公司开展技术合作,引进注氢剥离技术,并于2015年实现SOI产品的量产。

6) 截止到2015年,新傲公司共申请受理专利120项,其中60项已授权,PCT 3项。

7) 瞄准SOI器件及下一代微纳电子材料的应用,同中科院上海微系统所紧密合作,积极推进包括:高迁移率衬底材料、高k栅极介质材料、特种 SOI材料、SOI高压器件以及硅基光互联等方面的研究工作。

新傲公司SOI主要专注下述领域:

SIMOX

Bonding

Simbond

Best SOI

Direct Si-Si Bonding

与此同时,新傲公司也致力于外延技术的发展:

  • 在红外加热筒式外延设备上开发重掺As衬底上的外延工艺,抑制As的自掺杂效应,生长高阻、过渡区窄的外延层
  • 在红外加热筒式外延设备上实现厚度和电阻率均匀性好的1um左右的BiCMOS用外延片
  • 双埋层、As埋层电路衬底上高阻外延工艺开发
  • 全梯度和半梯度外延工艺开发并应用到全系列FRD产品


新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和SSS四种工艺,利用先进设备来制备SOI材料,以确保圆片能够达到国际半导体标准,并能够满足当今世界主流IC生产线的要求。 依靠强大而持续的技术支持,整合国产化衬底片良好的性价比以及强大而灵活的加工能力优势,向客户提供专业化的外延服务。
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